| 发明名称 | 半导体组件和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体组件和半导体器件。本实用新型的一个目的是改进半导体器件的击穿电压和减少晶格失配。根据本实用新型的一个实施例的半导体组件包含：具有表面的半导体衬底；在所述半导体衬底上的掺杂碳的半导体材料的外延层，所述外延层具有表面，所述外延层具有碳掺杂分布；在所述外延层上的成核层；和在所述成核层上的III-氮化物材料层。本实用新型的实施例可以减少晶片应力和位错密度，并且，通过将碳掺杂硅衬底以做出III-氮化物半导体器件来增加电阻率、热导率和抗辐射性。 | ||
| 申请公布号 | CN204792696U | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201520521804.6 | 申请日期 | 2015.07.17 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | 刘春利;A·萨利 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种半导体组件，其特征在于包含：具有表面的半导体衬底；在所述半导体衬底上的掺杂碳的半导体材料的外延层，所述外延层具有表面，所述外延层具有碳掺杂分布；在所述外延层上的成核层；和在所述成核层上的III‑氮化物材料层。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||