| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件，包括：布线（10）和虚拟导体图形（20）。所述布线（10）为具有5GH<sub>Z</sub>或更高频率的电流流经的布线。在布线（10）附近，形成了虚拟导体图形（20）。每一虚拟导体图形（20）的平面形状等同于具有大于180°的内角的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN103066062B | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201210530196.6 | 申请日期 | 2008.01.29 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 中柴康隆 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 关兆辉;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：布线；在布线附近的第一区域处形成的第一虚拟导体图形；以及第二虚拟导体图形，其形成在与第一区域相比距布线较远的第二区域处，其中在第一区域中的数据比率小于在第二区域中的数据比率，以及所述布线、所述第一虚拟导体图形和所述第二虚拟导体图形在相同层中形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||