制备笋形GaN纳米线的方法

摘要

制备笋形GaN纳米线的方法，将附有Pt纳米颗粒的硅片放入清洁的石英舟内，使Si衬底相对于前躯体粉末在石英舟中的位置位于气流的下游，然后将石英舟置于电阻炉的恒温区，向炉腔内第一次通入氮气，以赶出残余的空气；然后，使电阻炉的温度升到设定温度，向炉腔内通入氨气后，在硅衬底上得到笋形GaN纳米线。本发明以Ga₂O₃为镓源、氨气为氮源、Pt为催化剂，用CVD法在特定的工艺条件下，在硅衬底上制备出笋形六方纤锌矿单晶GaN纳米线，其场发射增强因子为646，发光峰位于364nm，具有优良的光学和电学特性。

主权项

制备笋形GaN纳米线的方法，其特征在于：将附有Pt纳米颗粒的硅片放入清洁的石英舟内，使Si衬底相对于前躯体粉末在石英舟中的位置位于气流的下游，且前躯体氧化镓粉末与硅衬底的距离为1cm，然后将石英舟置于电阻炉的恒温区，向炉腔内第一次通入氮气，以赶出残余的空气；然后，使电阻炉的温度升到1050℃，向炉腔内通入流量为250sccm的氨气，保持20min后，第二次通入氮气排除多余的氨气，待温度降至700℃，保温30min，最后自然冷却至室温，在硅衬底上得到笋形GaN纳米线。