| 发明名称 | 氮化物半导体器件 | ||
| 摘要 | 氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体层叠体(1、2)；和电极金属层(13)。电极金属层(13)包括：第一金属层(24)，该第一金属层(24)与氮化半导体层叠体(1、2)接合，并且具有包含多个柱部(A)的微细柱状构造；和第二金属层(25)，该第二金属层(25)层叠在第一金属层(24)上，并且具有包含多个柱部(B)的微细柱状构造，第二金属层(25)的微细柱状构造的柱部(B)的粗细方向的平均尺寸，大于第一金属层(24)的微细柱状构造的柱部(A)的粗细方向的平均尺寸。 | ||
| 申请公布号 | CN105074888A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201480019229.8 | 申请日期 | 2014.01.27 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 森下敏;民谷哲也;仲山宽 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳;池兵 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：衬底(10)；形成在所述衬底(10)上且具有异质界面的氮化物半导体层叠体(1、2)；和形成在所述氮化物半导体层叠体(1、2)上的电极金属层(13)，所述电极金属层(13)包括：第一金属层(24)，该第一金属层(24)与所述氮化物半导体层叠体(1、2)接合，并且具有包含多个柱部(A)的微细柱状构造；和第二金属层(25)，该第二金属层(25)层叠在所述第一金属层(24)上，并且具有包含多个柱部(B)的微细柱状构造，所述第二金属层(25)的所述柱部(B)的粗细方向的平均尺寸，大于所述第一金属层(24)的所述柱部(A)的粗细方向的平均尺寸。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||