| 发明名称 | 薄膜晶体管以及像素结构 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管以及像素结构，此薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、欧姆接触层、源极以及漏极。栅极具有凹陷结构。栅绝缘层位于栅极上，并顺应性地覆盖凹陷结构。有源层位于栅绝缘层上，其中有源层位于栅极的凹陷结构内且未延伸至凹陷结构的外部。欧姆接触层位于有源层上，且暴露出部分的有源层。源极以及漏极，位于欧姆接触层的上方。 | ||
| 申请公布号 | CN105070726A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510442172.9 | 申请日期 | 2015.07.24 |
| 申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 蔡启南 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 郭蔚 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：一栅极，具有一凹陷结构；一栅绝缘层，位于该栅极上，并顺应性地覆盖该凹陷结构；一有源层，位于该栅绝缘层上，其中该有源层位于该栅极的该凹陷结构内且未延伸至该凹陷结构的外部；一欧姆接触层，位于该有源层上，且暴露出部分的该有源层；一源极以及一漏极，位于该欧姆接触层的上方。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 | ||