发明名称 一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器及其检测氯霉素的方法
摘要 本发明实施例公开了一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器,包括惰性电极和在惰性电极表面的氯霉素分子印迹聚合物薄膜;氯霉素分子印迹聚合物薄膜由以下步骤制得:以含有氯霉素和邻苯二胺的醋酸缓冲溶液为电解液,惰性电极为工作电极构建三电极体系;采用循环伏安法,聚合电位为0~0.8V,得到聚邻苯二胺-氯霉素薄膜;用洗脱剂洗脱后,获得氯霉素分子印迹聚合物薄膜;其中,醋酸缓冲溶液的pH值为5.2,醋酸缓冲溶液的物质的量浓度为0.05~0.2mol/L;氯霉素和邻苯二胺物质的量浓度分别为1~50mmol/L。本发明提供的氯霉素分子印迹电化学发光传感器,可用于检测氯霉素,并且检测灵敏度高,选择性好。
申请公布号 CN105067598A 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201510440984.X 申请日期 2015.07.24
申请人 北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司 发明人 刘红云;廉文静
分类号 G01N21/76(2006.01)I;G01N27/26(2006.01)I 主分类号 G01N21/76(2006.01)I
代理机构 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人 刘继富;王春伟
主权项 一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器,其特征在于,包括惰性电极和在所述惰性电极表面的氯霉素分子印迹聚合物薄膜;所述氯霉素分子印迹聚合物薄膜由以下步骤制得:以含有氯霉素和邻苯二胺的醋酸缓冲溶液为电解液,以所述惰性电极为工作电极构建三电极体系;采用循环伏安法,电化学聚合所述氯霉素和所述邻苯二胺,聚合电位为0~0.8V,在惰性电极表面聚合得到聚邻苯二胺‑氯霉素薄膜;用洗脱剂去除聚邻苯二胺‑氯霉素薄膜中的氯霉素,获得所述氯霉素分子印迹聚合物薄膜;其中,所述醋酸缓冲溶液的pH值为5.2,所述醋酸缓冲溶液的物质的量浓度为0.05~0.2mol/L;所述氯霉素和所述邻苯二胺的物质的量浓度分别为1~50mmol/L。
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