窒化物半導体発光素子およびその製造方法,申请号JP20110277980-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	窒化物半導体発光素子およびその製造方法
摘要
申请公布号	JP5817503(B2)	申请公布日期	2015.11.18
申请号	JP20110277980	申请日期	2011.12.20
申请人		发明人
分类号	H01L33/32	主分类号	H01L33/32
代理机构		代理人
主权项
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