发明名称 |
一种阵列基板及其制备方法与显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及其制备方法与显示装置,该阵列基板包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层,还包括:形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层。在本发明所述技术方案中,由于可在形成缓冲层之前,在衬底基板上形成公共电极层,使得公共电极层不仅可与像素电极层形成存储电容,还可与半导体层形成存储电容,起到了增大阵列基板的存储电容、提高阵列基板的像素电压保持率以及降低显示装置的闪烁等不良现象的效果;另外,与现有技术相比,由于还可省去后续保护层及钝化层等工艺流程,从而还可达到简化阵列基板的膜层结构以及制作工艺的效果。 |
申请公布号 |
CN103474437B |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201310432359.1 |
申请日期 |
2013.09.22 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
发明人 |
孙建;李成;安星俊;柳奉烈 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种阵列基板,包括衬底基板、依次形成在所述衬底基板上的缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、栅金属层、层间介电层、源漏金属层以及像素电极层,其特征在于,还包括:形成在所述衬底基板与所述缓冲层之间的公共电极层;其中,所述栅金属层包括栅极、栅线以及公共电极线。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |