发明名称 一种分立器件管芯排布结构
摘要 本实用新型公开了一种分立器件管芯排布结构,所述分立器件的管芯安装面为正方形,Gate Pad位于所述管芯安装面的中心位置。所述分立器件还具有Gate Finger,所述Gate Finger由所述的Gate Pad向四周延伸。所述分立器件是VDMOS或IGBT。
申请公布号 CN204792765U 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201520539951.6 申请日期 2015.07.23
申请人 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 发明人 陆怀谷
分类号 H01L23/48(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 主分类号 H01L23/48(2006.01)I
代理机构 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人 冯子玲
主权项 一种分立器件管芯排布结构,其特征在于,所述分立器件的管芯安装面为正方形,Gate Pad位于所述管芯安装面的中心位置。
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