| 发明名称 | 低损耗半柔同轴射频电缆 | ||
| 摘要 | 一种低损耗半柔同轴射频电缆，包括从内至外依次同轴设置的内导体(10)、绝缘体(20)、金属层(30)以及编织浸锡层(40)；绝缘体(20)包括未烧结的聚四氟乙烯内层和裹设在该聚四氟乙烯内层的外侧壁上的完全烧结的聚四氟乙烯外层。本实用新型的低损耗半柔同轴射频电缆采用瞬间超高温烧结方式在聚四氟乙烯绝缘体的外表面上形成完成烧结的聚四氟乙烯层，从而极大地提高了绝缘体的耐弯曲性能；同时，在绝缘层与外导体之间添加一层金属层，从而解决外导体整体浸锡时产生气泡的问题。本实用新型的低损耗半柔同轴射频电缆结构简单，具有实用性。 | ||
| 申请公布号 | CN204793141U | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201520461064.1 | 申请日期 | 2015.06.30 |
| 申请人 | 深圳金信诺高新技术股份有限公司 | 发明人 | 李军;周炜 |
| 分类号 | H01P3/06(2006.01)I | 主分类号 | H01P3/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人 | 郭伟刚 |
| 主权项 | 一种低损耗半柔同轴射频电缆，其特征在于，包括从内至外依次同轴设置的内导体(10)、绝缘体(20)、金属层(30)以及编织浸锡层(40)；绝缘体(20)包括未烧结的聚四氟乙烯内层和裹设在该聚四氟乙烯内层的外侧壁上的完全烧结的聚四氟乙烯外层。 | ||
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区科技中二路深圳软件园9#号302 | ||