一种晶圆级芯片封装方法

摘要

本发明涉及半导体器件制备领域，尤其涉及一种晶圆级芯片封装方法。该晶圆级芯片封装方法是在第一晶圆上表面和第二晶圆上表面上设置键合材料，先对键合材料进行平坦化工艺，之后再对第一晶圆和第二晶圆的边缘进行研磨工艺，使得晶圆的边缘应力减小，从而使得翘曲度变小，进而使得第一晶圆和第二晶圆的键合处没有裂缝，通过改变平坦化和研磨的顺序，降低晶圆的边缘翘曲度来提升晶圆质量。

主权项

一种晶圆级芯片封装方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆和所述第二晶圆均具有上表面及相对于该上表面的下表面；于所述第一晶圆的上表面和所述第二晶圆的上表面沉积键合材料；对覆盖所述第一晶圆的上表面和所述第二晶圆的上表面的键合材料进行平坦化工艺；对所述第一晶圆的边缘及所述第二晶圆的边缘进行研磨后，将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆之上。