闪存及其制备方法及监测闪存隧穿氧化层击穿电压的方法

摘要

本发明的提供一种闪存及其制备方法及监测闪存隧穿氧化层击穿电压的方法，将半导体衬底分为第一区域和第二区域，第一区域的第一浮栅上完全覆盖第一介质层，第二区域的第二浮栅上部分覆盖第二介质层，接着，刻蚀第二浮栅在第二区域上形成闪存，第一介质层作为第一浮栅的掩膜保护第一浮栅不受刻蚀第二浮栅的影响。之后，刻蚀第一介质层，在第一浮栅上形成第一连接塞将第一浮栅引出，在第一连接塞和字线多晶硅之间加上不同电位即可测试遂穿氧化层的击穿电压。本发明中，不需要增加额外的光阻掩模板保护第一浮栅结构即可形成监测遂穿氧化层击穿电压的结构，节约了测试工艺成本。

主权项

一种闪存，其特征在于，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括相邻的第一区域和第二区域，其中，所述第一区域包括：第一源区，所述第一源区位于所述半导体衬底中；第一浮栅，所述第一浮栅覆盖所述第一源区；第一连接塞，所述第一连接塞位于所述第一浮栅上，所述第一连接塞两侧的所述第一浮栅上形成有第一介质层；所述第二区域包括：第二源区，所述第二源区位于所述半导体衬底中，靠近所述第一区域的所述第二源区与所述第一源区相连；第二浮栅，所述第二浮栅间隔覆盖部分所述第二源区，靠近所述第一区域的所述第二浮栅与所述第一浮栅至少部分相连；第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第二浮栅，所述第二介质层之间形成器件单元；遂穿氧化层，所述遂穿氧化层覆盖所述第二介质层远离所述器件单元的一侧；字线多晶硅，所述字线多晶硅位于所述遂穿氧化层远离所述器件单元的一侧。