| 发明名称 | 一种降低SONOS存储器串联电阻的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种降低SONOS存储器串联电阻的方法，包含：第1步，在硅衬底上形成栅氧化层及多晶硅栅极，在多晶硅栅极上形成氮化硅；第2步，涂覆光刻胶，利用氮化硅光刻的掩膜版将选择管多晶硅与SONOS管多晶硅侧墙发生融合的区域定义出来；第3步，进行多晶硅上接触孔区氮化硅刻蚀；第4步，去除光刻胶；第5步，去除侧墙融合区域的氮化硅。本发明将多晶硅上接触孔区氮化硅刻蚀层次位置移到侧墙刻蚀及源漏注入前的氧化硅形成步骤之后，利用氮化硅刻蚀掩膜版将SONOS多晶硅与选择管多晶硅之间定义出来，解决了选择管侧墙与SONOS侧墙之间融合的问题，在进行源漏注入时原融合区域也能得到注入，降低了器件的串联电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN105070718A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510505846.5 | 申请日期 | 2015.08.18 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 赵鹏;刘凯;张可刚;陈华伦 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种降低SONOS存储器串联电阻的方法，其特征在于：包含：第1步，在硅衬底上形成栅氧化层及多晶硅栅极，在多晶硅栅极上形成氮化硅，以及形成栅极侧墙；第2步，涂覆光刻胶，利用氮化硅光刻的掩膜版将选择管多晶硅与SONOS管多晶硅侧墙发生融合的区域定义出来；第3步，进行多晶硅上接触孔区氮化硅刻蚀；第4步，去除光刻胶，第5步，去除侧墙融合区域的氮化硅。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||