一种MTM反熔丝单元结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种MTM反熔丝单元结构的制备方法，包括（1）完成第一金属间介质材料和下层金属材料淀积；（2）完成第一阻挡层材料淀积；（3）完成漏电隔离层淀积；（4）完成漏电隔离层刻蚀；（5）完成反熔丝介质材料淀积；（6）完成第二阻挡层材料淀积；（7）完成反熔丝介质层和下层金属层刻蚀；（8）完成第三金属间介质材料和上层金属材料淀积、刻蚀。本发明增加了漏电隔离层，降低MTM反熔丝单元漏电，使得MTM反熔丝单元在相同编程电压下具有更小的漏电流，最终大大降低MTM反熔丝单元所在集成电路的功耗。

主权项

一种MTM反熔丝单元结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：在基于硅衬底的器件层（1）上进行第一金属间介质材料淀积，形成第一金属间介质层（2a），再在第一金属间介质层（2a）上进行下层金属材料淀积，形成下层金属层（3）；（2）在下层金属层（3）上进行第一阻挡层材料淀积，形成第一阻挡层（4a）；（3）在第一阻挡层（4a）上进行第二金属间介质材料淀积，形成第二金属间介质层（2b），第二金属间介质层（2b）作为反熔丝介质层（5）和第一阻挡层（4a）之间的漏电隔离层；（4）对第二金属间介质层（2b）的左、右及中间部分进行刻蚀；（5）在第一阻挡层（4a）上进行反熔丝介质材料淀积，形成反熔丝介质层（5）；（6）在反熔丝介质层（5）上进行第二阻挡层材料淀积，形成第二阻挡层（4b）；（7）对反熔丝介质层（5）和下层金属层（3）的左、右两部分进行刻蚀，形成反熔丝单元结构的上电极板和下电极板，刻蚀停止在第一金属间介质层（2a）上；反熔丝介质层（5）和下层金属层（3）的左、右两部分中被刻蚀掉的宽度与步骤（4）中第二金属间介质层（2b）的左、右两部分中被刻蚀掉的宽度相同；（8）在步骤（7）中得到的反熔丝单元结构的上电极板上进行第三金属间介质材料淀积，形成第三金属间介质层（2c），再对第三金属间介质层（2c）的中间部分进行刻蚀，形成通孔结构，最后在第三金属间介质层（2c）上进行上层金属材料淀积，形成上层金属层（6），对上层金属层（6）进行刻蚀，形成MTM反熔丝单元结构。