| 发明名称 | 一种双离子掺杂氧化铈缓冲层及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，该缓冲层的化学组成为：(Ce<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)<sub>1-x</sub>R<sub>x</sub>O<sub>y</sub>，其中x的取值为0.01～0.2，R为Zr或Mn。另外，本发明还公开了制备该双离子掺杂氧化铈缓冲层的方法，该方法为：一、将铈的有机盐、钆的有机盐和R的有机盐溶解于丙酸中，得到前驱液；二、将所述前驱液涂敷于NiW金属基带上，然后将涂敷有前驱液的NiW金属基带置于管式炉中进行保温热处理，随炉冷却后在NiW金属基带表面得到(Ce<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)<sub>1-x</sub>R<sub>x</sub>O<sub>y</sub>双离子掺杂氧化铈缓冲层。本发明的缓冲层具有锐利的立方取向，表面光滑平整、无裂纹，有利于外延生长超导层。 | ||
| 申请公布号 | CN105063578A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510500561.2 | 申请日期 | 2015.08.14 |
| 申请人 | 西北有色金属研究院 | 发明人 | 金利华;李成山;冯建情;于泽铭;王耀;张平祥 |
| 分类号 | C23C18/12(2006.01)I;C01F17/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C18/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人 | 谭文琰 |
| 主权项 | 一种双离子掺杂氧化铈缓冲层，其特征在于，该缓冲层的化学组成为：(Ce<sub>0.8</sub>Gd<sub>0.2</sub>)<sub>1‑x</sub>R<sub>x</sub>O<sub>y</sub>，其中x的取值为0.01～0.2，R为Zr或Mn。 | ||
| 地址 | 710016 陕西省西安市未央路96号 | ||