一种可调双波长分布反馈式半导体激光器装置

摘要

本发明涉及一种可调双波长分布反馈式半导体激光器装置，这种激光器装置由三个反馈区和位于三个反馈区之间的两个相移区组成，沿着整个激光器的光栅结构可以为带有两个等效相移的均匀取样光栅或带有两个真实相移的均匀光栅，也可以为普通均匀光栅或均匀取样光栅，三个反馈区的电极用导线连接在一起形成反馈区电极，且反馈区电极与两个相移区的电极相电隔离。通过改变反馈区、两个相移区注入电流大小或比例，可以控制引入的两个相移的大小，从而来调节激光器激射的两种激光的波长大小和波长间隔大小。

主权项

一种可调双波长分布反馈式半导体激光器装置，其特征在于：所述激光器装置由三个反馈区和位于三个反馈区之间的两个相移区组成，沿着整个激光器其光栅结构为普通均匀光栅或均匀取样光栅；三个反馈区的电极用导线连接在一起形成反馈区电极，两个相移区电极各自独立引出，且反馈区电极与两个相移区的电极相电隔离。