发明名称 低本振功率谐波混频器
摘要 本发明实施例提供一种低本振功率谐波混频器,其包括混频二极管直流偏置电路以及低损耗本振中频双工器;其中,所述混频二极管直流偏置电路包括:两只二极管结组成的二极管对(2)、呈对称结构的2个低损耗薄膜电容(6),由对称结构的2个去耦电容(3)、2个平板电容(4)和2个高容值宽带电容(5)组成的直流去耦滤波电路以及直流电阻偏置网络(11);所述低损耗本振中频双工器包括顺次连接的本振匹配滤波器(10)、本振输入波导(8)至悬置带线波导探针过渡电路(9)、以及中频低通滤波器(7);本发明可在低本振功率条件下实现低变频损耗和噪声系数性能,解决了现有方案技术指标和本振倍频链路制作难度和成本的问题。
申请公布号 CN105071776A 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201510510500.4 申请日期 2015.08.19
申请人 中国电子科技集团公司第四十一研究所 发明人 代秀;朱伟峰;韦柳泰;徐从玉
分类号 H03D7/16(2006.01)I 主分类号 H03D7/16(2006.01)I
代理机构 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人 龚燮英
主权项 一种低本振功率谐波混频器,其特征在于,包括混频二极管直流偏置电路以及低损耗本振中频双工器;其中,所述混频二极管直流偏置电路包括:两只二极管结组成的二极管对(2)、呈对称结构的2个低损耗薄膜电容(6),由对称结构的2个去耦电容(3)、2个平板电容(4)和2个高容值宽带电容(5)组成的直流去耦滤波电路以及直流电阻偏置网络(11);所述电容(6)、(3)、(4)、(5)之间使用金线互联;所述二极管对(2)位于射频输入波导(1)口内;所述二极管对(2)中间焊盘安装在本振上输入端带线上,两侧焊盘分别安装在所述2个低损耗薄膜电容(6)下电极上,并与所述2个去耦电容(3)使用金线互联;低损耗薄膜电容(6)上电极与所述射频输入波导(1)上腔体连接;电阻直流偏置网络(11)分别与两个高容值宽带电容(5)互联;所述低损耗本振中频双工器包括顺次连接的本振匹配滤波器(10)、本振输入波导(8)至悬置带线波导探针过渡电路(9)、以及中频低通滤波器(7)。
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