发明名称 |
高稳定性单晶硅压差传感器 |
摘要 |
本发明公开了一种高稳定性单晶硅压差传感器,所述高稳定性单晶硅压差传感器包括有传感器壳体,所述传感器壳体包括有传感器正压腔,传感器负压腔,以及设置于传感器壳体内部的传感器芯片;传感器正压腔中设置连通至传感器芯片下端面的第一通油孔,传感器负压腔中设置有连通至传感器芯片上端面的第二通油孔;所述传感器壳体中设置有,由传感器壳体外部分别连通至第一通油孔与第二通油孔的充油管道;所述传感器芯片连接有电性接口;采用上述技术方案的高稳定性单晶硅压差传感器,其可通过硅油进行压力的无损传递,以实现对压力差的精确测量,从而有效改善了压差传感器的静压性能,进而使得上述压差传感器的工作稳定性得以提高。 |
申请公布号 |
CN105067182A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201510176116.5 |
申请日期 |
2015.04.15 |
申请人 |
江苏德尔森传感器科技有限公司 |
发明人 |
牟恒 |
分类号 |
G01L13/06(2006.01)I |
主分类号 |
G01L13/06(2006.01)I |
代理机构 |
南京众联专利代理有限公司 32206 |
代理人 |
顾进 |
主权项 |
一种高稳定性单晶硅压差传感器,其特征在于,所述高稳定性单晶硅压差传感器包括有传感器壳体,所述传感器壳体包括有传感器正压腔,传感器负压腔,以及设置于传感器壳体内部的单晶硅传感器芯片;所述传感器正压腔中设置有由其端面连通至单晶硅传感器芯片下端面的第一通油孔,所述传感器负压腔中设置有由其端面连通至单晶硅传感器芯片上端面的第二通油孔;所述传感器壳体中设置有,由传感器壳体外部分别连通至第一通油孔与第二通油孔的充油管道;所述单晶硅传感器芯片连接有延伸至传感器壳体外部的电性接口。 |
地址 |
215600 江苏省苏州市张家港保税区港澳路传感器产业园 |