发明名称 一种提高铸造多晶硅锭质量的方法
摘要 本发明是一种提高铸造多晶硅锭质量的方法,其步骤如下:采用纯度超过99.9%、粒径为100nm~100μm的二氧化硅为原料;将二氧化硅与纯水进行搅拌混合均匀,纯水占混合物的质量百分比为20%~70%;以混合物作为多晶铸锭形核剂;在坩埚进行常规喷涂结束后,将混合物喷或刷至坩埚底部形成一层厚度为0.3~5mm的二氧化硅涂层,二氧化硅涂层干燥后,获得龟裂的二氧化硅涂层与/或不龟裂的二氧化硅涂层,最后装料铸锭,长晶时以二氧化硅与裂缝作为形核点,获得多晶硅锭。本发明方法生产出来的多晶硅锭切成硅片后,硅片缺陷密度低,做成电池后,效率比普通多晶硅片的效率高0.3~0.8%。采用本发明方法铸锭,成本与主流铸锭方法相当,成品率可以超过69%。
申请公布号 CN103014834B 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201310008848.4 申请日期 2013.01.10
申请人 韩华新能源科技有限公司 发明人 金廷珉;申铉宪;周环;李林东
分类号 C30B11/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B11/00(2006.01)I
代理机构 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人 刘喜莲
主权项 一种提高铸造多晶硅锭质量的方法,其特征在于,其步骤如下:(1)采用纯度超过99.9%、粒径为1μm的二氧化硅为原料;将二氧化硅与纯水进行搅拌混合均匀,纯水占混合物的质量百分比为45%;(2)以上述二氧化硅与纯水的混合物作为多晶铸锭形核剂;在坩埚进行常规喷涂结束后,将混合物喷或刷至坩埚底部形成一层厚度为1mm的二氧化硅涂层,二氧化硅涂层干燥后,获得龟裂的二氧化硅涂层与/或不龟裂的二氧化硅涂层,在龟裂的氧化硅涂层上,再撒上一层粒径为1μm、厚度为0.7mm的氧化硅,最后装料铸锭,长晶时以二氧化硅与裂缝作为形核点,获得多晶硅锭。
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