晶体硅太阳能电池及其扩散方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池及其扩散方法。该晶体硅太阳能电池的扩散方法，包括如下步骤：步骤一：在通入氧气和氮气的条件下，将硅片于800～820℃保温氧化；步骤二：在通入扩散氮、氧气及氮气的条件下，将硅片于800～820℃保温扩散；步骤三：在通入氮气的条件下，将硅片于860～890℃保温扩散；步骤四：在通入氧气和扩散氮的条件下，将硅片于810～850℃保温扩散；步骤五：在通入氧气和氮气的条件下，将硅片于810～850℃保温反应，扩散氮为携带有三氯氧磷的氮气，且步骤四中的扩散氮的流量小于步骤二中的扩散氮的流量。上述扩散方法能够提升晶体硅太阳能电池的短路电流。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：在通入氧气和氮气的条件下，将硅片于800～820℃保温氧化2～5分钟；步骤二：在通入扩散氮、氧气及氮气的条件下，将所述硅片于800～820℃保温扩散10～15分钟；步骤三：在通入氮气的条件下，将所述硅片于860～890℃保温扩散10～20分钟；步骤四：在通入氧气和扩散氮的条件下，将所述硅片于810～850℃保温扩散2～8分钟；及步骤五：在通入氧气和氮气的条件下，将所述硅片于810～850℃保温反应4～10分钟，经冷却，得到所述晶体硅太阳能电池；其中，所述扩散氮为携带有三氯氧磷的氮气，且步骤四中的所述扩散氮的流量小于步骤二中的所述扩散氮的流量。