晶格失配的异质结结构和由其制备的器件

摘要

提供了包含晶格失配的单晶半导体材料的半导体异质结结构以及制作所述异质结结构的方法。异质结结构包含至少一个三层结，其包含两个单晶半导体层和夹在两个单晶半导体材料层之间并分隔这两者的电流隧穿层。还提供了纳入所述异质结结构的器件、制备所述器件的方法和使用所述器件的方法。

主权项

半导体异质结结构，包含：第一单晶半导体材料层；第二单晶半导体材料层，所述第二单晶半导体材料具有与第一单晶半导体材料不同的化学组成和不同的晶格常数；和电流隧穿层，其设置在第一单晶半导体材料层的上表面和第二单晶半导体材料层的下表面之间并与两者接触，其中电流隧穿层包含无机材料，其中无机材料的带隙比第一和第二单晶半导体材料的带隙宽，并且其中无机材料不是第一单晶半导体材料的自然氧化物或者第二单晶半导体材料的自然氧化物；其中电流隧穿层与第一和第二单晶半导体材料层之间的界面不具有外延结构。