| 发明名称 | 外延片、外延片制备方法以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种外延片，其特征在于，包括衬底和外延层；所述衬底和所述外延层的掺杂类型不同；所述衬底为P型掺杂，所述外延层为N型掺杂；或者，所述衬底为N型掺杂，所述外延层为P型掺杂。本发明的外延片，曲翘度满足后道器件的生产需求，有效避免集成电路厂商曝光加工散焦，提高了后道器件的良品率及产品品质。更好地满足行动通讯、信息家电等产品对于外延产品的苛刻要求。 | ||
| 申请公布号 | CN105070647A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510448219.2 | 申请日期 | 2015.07.27 |
| 申请人 | 上海晶盟硅材料有限公司 | 发明人 | 高璇 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 外延片，其特征在于，包括衬底和外延层；所述衬底和所述外延层的掺杂类型不同；所述衬底为P型掺杂，所述外延层为N型掺杂；或者，所述衬底为N型掺杂，所述外延层为P型掺杂。 | ||
| 地址 | 201707 上海市青浦区北青公路8228号二区48号 | ||