非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法

摘要

本发明公开了一种非Si掺杂无InGaN光LED材料及其制作方法。其生长步骤是：1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10-200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2-100μm，O掺杂浓度为2×10¹⁷cm^-3～2×10¹⁹cm^-3，C掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3～1×10¹⁹cm^-3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01-10μm，Mg掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3～5×10¹⁹cm^-3的高温p型GaN层。本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作非极性a面GaN黄光发光二极管。

主权项

一种非Si掺杂无InGaN光LED材料，自上而下分别为p型GaN层，有源层，成核层和r面蓝宝石衬底，其特征在于：有源区使用C掺杂和O掺杂的n型GaN层，以在GaN中引入C的深能级，为发黄光的电子、空穴提供复合平台。