一种LED外延生长方法

摘要

本申请公开了LED芯片外延生长方法，LED芯片包括：自下而上顺序设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层、浅量子阱层、有源层MQW、AlGaN/GaN超晶格、低温P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格结构、高温P型GaN层及P型接触层。方法包括：在衬底上从下而上顺序生长低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层及浅量子阱层；在浅量子阱层上生长出有源层MQW，有源层MQW为低温多量子阱结构；在有源层MQW上生长非刻意掺杂的AlGaN/GaN超晶格结构；在AlGaN/GaN超晶格结构上生长低温P型GaN层；在低温P型GaN层上生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构；在P型AlGaN/InGaN超晶格结构上生长高温P型GaN层；在高温P型GaN层上生长P型接触层；以及降温得到LED芯片外延结构。

主权项

一种LED芯片外延生长方法，所述LED芯片包括：自下而上顺序设置的衬底、低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层、浅量子阱层、有源层MQW、AlGaN/GaN超晶格、低温P型GaN层、P型AlGaN/InGaN超晶格结构、高温P型GaN层及P型接触层，其特征在于，所述方法：在衬底上从下而上顺序生长低温GaN缓冲层、高温GaN缓冲层、N型GaN层、N型AlGaN层、N型接触层及浅量子阱层；在浅量子阱层上生长出有源层MQW，所述有源层MQW为低温多量子阱结构；在所述有源层MQW上生长非刻意掺杂的AlGaN/GaN超晶格结构；在所述AlGaN/GaN超晶格结构上生长低温P型GaN层；在所述低温P型GaN层上生长P型AlGaN/InGaN超晶格结构；在所述P型AlGaN/InGaN超晶格结构上生长高温P型GaN层；在所述高温P型GaN层上生长P型接触层；以及降温、冷却得到LED芯片外延结构。