太阳能电池敷金属和互连方法

摘要

一种太阳能电池与在太阳能电池上形成接触结构的方法，该太阳能电池具有p-n结形成在第一掺杂剂极性的第一半导体区域和与第一掺杂剂极性相反的第二掺杂剂极性的第二半导体区域之间。该方法包括：在太阳能电池的表面上形成多个接触点，据此，接触点提供至第一半导体区域的电连接；并且将多个导电电线定位在太阳能电池之上，以与接触点进行电连接。接触点是暴露的硅表面或者在其上形成金属垫的硅表面。金属垫可包括低熔化温度金属的电镀层和/或可以具有小于5微米的厚度。

主权项

一种在太阳能电池上形成接触结构的方法，所述太阳能电池具有p‑n结形成在第一掺杂剂极性的第一半导体区域和与所述第一掺杂剂极性相反的第二掺杂剂极性的第二半导体区域之间，所述方法包括：将包含具有小于150℃的熔化温度的低熔化温度金属的金属垫电镀在位于所述太阳能电池的暴露的半导体表面上的多个点上，以形多个第一接触点，据此，所述第一接触点提供与所述第一半导体区域的电连接。