发明名称 |
一种硅基氮化物紫外LED外延结构及其实现方法 |
摘要 |
本发明提供了一种硅基氮化物紫外LED外延结构及其实现方法,LED外延结构从由下往上依次为:硅衬底层、应力控制层、n型电流扩展层、有源区准备层、有源区发光层、电子阻挡层、p型电流扩展层以及p型欧姆接触层;其中,应力控制层由至少一层Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层构成,0≦x≦1;n型电流扩展层为硅掺杂的n型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N层,0≦y≦1;n型电流扩展层中的Al组分小于或等于应力控制层中各Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层中Al组分的平均值,其在硅衬底上利用Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N应力控制层调控应力,使n型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1-y</sub>N(0≦y≦x≦1)电流扩展层在生长过程中受到压应力,不容易产生裂纹,具有很高的外延良率。 |
申请公布号 |
CN105070805A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201510503690.7 |
申请日期 |
2015.08.17 |
申请人 |
晶能光电(常州)有限公司 |
发明人 |
李增成;孙钱;刘乐功;黄应南;孙秀建;鲁德 |
分类号 |
H01L33/12(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/12(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种硅基氮化物紫外LED外延结构,其特征在于,所述LED外延结构从由下往上依次为:硅衬底层、应力控制层、n型电流扩展层、有源区准备层、有源区发光层、电子阻挡层、p型电流扩展层以及p型欧姆接触层;其中,所述应力控制层由至少一层Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层构成,0≦x≦1;所述n型电流扩展层为硅掺杂的n型Al<sub>y</sub>Ga<sub>1‑y</sub>N层,0≦y≦1;所述n型电流扩展层中的Al组分小于或等于应力控制层中各Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层中Al组分的平均值。 |
地址 |
213164 江苏省常州市武进高新技术产业开发区凤翔路7号 |