一种基于CMOS工艺实现的太赫兹功率放大器

摘要

一种基于CMOS工艺实现的太赫兹功率放大器，有用于将输入信号分离成两路信号的功率分离器，连接在所述功率分离器的输出端用于对功率分离器输出的两路信号分别进行功率放大的功率放大单元，连接在所述功率放大单元的输出端用于将功率放大单元输出的两路放大后的信号进行合成，形成太赫兹功率放大器输出信号的电流功率合成器。本发明能工作在太赫兹频率下，能够克服由于频率接近器件截止频率带来的功率放大增益难以提高、密勒电容降低功率放大器工作频率等限制；降低了功率放大器对寄生的敏感程度，提高因为温度和其他原因导致性能恶化的可靠性；保证了功率放大器的输出功率；降低了版图设计匹配性设计的难度，通道之间的幅度、相位具有更好的匹配效果。

主权项

一种基于CMOS工艺实现的太赫兹功率放大器，其特征在于，包括有：用于将输入信号分离成两路信号的功率分离器(T1)，连接在所述功率分离器(T1)的输出端用于对功率分离器(T1)输出的两路信号分别进行功率放大的功率放大单元(F)，连接在所述功率放大单元(F)的输出端用于将功率放大单元(F)输出的两路放大后的信号进行合成，形成太赫兹功率放大器输出信号(PA OUT)的电流功率合成器(T4)。