发明名称 |
平衡Z轴灵敏度和稳定性的3轴各向异性磁阻及其制备方法 |
摘要 |
本发明提出了一种平衡Z轴灵敏度和稳定性的3轴各向异性磁阻及其制备方法,将垂直磁阻进行分段,形成多个,并且每一个均位于两个电极间隔处的沟槽侧壁上,在电极进行通电流时,通过平面磁阻流向多个垂直磁阻内电流量较少,并且由于垂直磁阻被分段,使电流在多个垂直磁阻之间进行流通,因此沟槽侧壁处垂直磁阻的电流会大大降低,从而能够减少垂直磁阻的电流对平面磁阻的影响;此外,磁畴具有趋向于沿磁阻长条方向进行排列的特性,由于垂直磁阻沿着沟槽水平方向的长度小于垂直磁阻沿着沟槽垂直方向的深度,能够使垂直磁阻的磁畴沿着沟槽垂直方向进行排列,使垂直磁阻具有较好的灵敏度。 |
申请公布号 |
CN105070825A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201510490504.0 |
申请日期 |
2015.08.11 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
时廷;王建鹏 |
分类号 |
H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/08(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅 |
主权项 |
一种平衡Z轴灵敏度和稳定性的3轴各向异性磁阻,其特征在于,包括:平面磁阻、多个垂直磁阻和多个电极,其中,所述平面磁阻形成在基片的表面,多个所述电极形成在所述平面磁阻上,并间隔排列,多个所述垂直磁阻形成在所述基片上沟槽的侧壁表面,所述垂直磁阻位于两个电极间隔处的沟槽侧壁上,所述垂直磁阻沿着沟槽水平方向的长度小于垂直磁阻沿着沟槽垂直方向的深度。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |