| 发明名称 | 一种超薄的MOSFET封装结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种超薄的MOSFET封装结构，包括MOSFET晶圆，所述MOSFET晶圆的电极面上设有导通部分，所述MOSFET晶圆的侧壁呈沟槽结构；所述导通部分和沟槽结构的侧面铺有导电线路层；所述MOSFET晶圆的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层；所述导通部分的导电线路层上设有凸点；所述MOSFET晶圆的背面铺设有背面导电层。本实用新型的封装结构工艺简单，可进行晶圆级加工，效率高，周期短，封装的整体厚度可以降低到很薄，封装的体积比较小。 | ||
| 申请公布号 | CN204792701U | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201520431392.7 | 申请日期 | 2015.06.19 |
| 申请人 | 宁波芯健半导体有限公司 | 发明人 | 曹凯;谢皆雷;吴超;罗立辉 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 宋缨;孙健 |
| 主权项 | 一种超薄的MOSFET封装结构，包括MOSFET晶圆，其特征在于，所述MOSFET晶圆的电极面上设有导通部分，所述MOSFET晶圆的侧壁呈沟槽结构；所述导通部分和沟槽结构的侧面铺有导电线路层；所述MOSFET晶圆的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层；所述导通部分的导电线路层上设有凸点；所述MOSFET晶圆的背面铺设有背面导电层。 | ||
| 地址 | 315336 浙江省宁波市杭州湾新区庵东工业园区华兴地块中横路18号 | ||