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Un dispositivo de memoria incluye una capa magnética que incluye una pluralidad de celdas de memoria de acceso aleatorio magnética (MRAM), una primera capa conductora, una capa que incluye una banda que conecta las celdas MRAM incluidas en la pluralidad de celdas MRAM y una segunda capa conductora. La primera capa conductora incluye una porción conductora conectada eléctricamente a por lo menos una de la pluralidad de celdas MRAM y una línea de campo configurada para escribir datos en la al menos una de la pluralidad de celdas MRAM. La segunda capa conductora incluye una interconexión conductora conectada eléctricamente a la al menos una de la pluralidad de celdas MRAM donde la capa magnética está dispuesta entre la primera capa conductora y la segunda capa conductora. Al menos una de la pluralidad de celdas MRAM está directamente conectada a la segunda capa conductora y la banda. |
