半导体的制造方法

摘要

一种半导体的制造方法。包括：于衬底上形成掩模层，掩模层具有暴露出部分衬底的第一开口。藉由所述掩模层为掩模，进行干式蚀刻工艺，于衬底中形成第二开口，其特征在于第二开口具有底部与由底部向上向外延伸的侧壁，掩模层的第一开口暴露出第二开口的底部，且掩模层遮蔽第二开口的侧壁。藉由掩模层为掩模，透过第一开口对第二开口的底部进行垂直式离子注入工艺。对所述衬底进行转换工艺，于第二开口的侧壁上与底部上形成转换层，其特征在于侧壁上的转换层的厚度大于底部上的转换层的厚度。

主权项

一种半导体的制造方法，其特征在于包括：于衬底上形成掩模层，所述掩模层具有暴露出部分所述衬底的第一开口；藉由所述掩模层为掩模，进行干式蚀刻工艺，于所述衬底中形成第二开口，其特征在于所述第二开口具有底部与由所述底部向上向外延伸的侧壁，所述掩模层的第一开口暴露出所述第二开口的底部，且所述掩模层遮蔽所述第二开口的侧壁，其中所述干式蚀刻工艺包括原位加宽蚀刻工艺；藉由所述掩模层为掩模，透过所述第一开口对所述第二开口的底部进行垂直式离子注入工艺；以及对所述衬底进行转换工艺，于所述第二开口的侧壁上与底部上形成转换层，其特征在于所述侧壁上的转换层的厚度大于底部上的转换层的厚度。