| 发明名称 | 图像拾取装置和图像拾取显示系统 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括：基板；至少一个栅电极；至少两个氧化硅层，包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，其中，第一氧化硅层比第二氧化硅层更靠近基板，并且其中，第一氧化硅层的厚度大于或等于第二氧化硅层的厚度；以及半导体层，被布置在第一氧化硅层的至少一部分与第二氧化硅层的至少一部分之间。此外，图像拾取装置和辐射成像设备包括该半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN105074934A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201480016985.5 | 申请日期 | 2014.02.27 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 山田泰弘 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 田喜庆;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：基板；至少一个栅电极；至少两个氧化硅层，包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，其中，所述第一氧化硅层比所述第二氧化硅层更靠近所述基板，并且其中，所述第一氧化硅层的厚度大于或等于所述第二氧化硅层的厚度；以及半导体层，被布置在所述第一氧化硅层的至少一部分与所述第二氧化硅层的至少一部分之间。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||