发明名称 用于包络跟踪的放大器拓扑
摘要 一种放大器(100)包括用于接收输入信号的输入端口(102)、用于接收表示输入信号的包络的包络信号的包络端口(104)。放大器具有第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2)。第一偏置电路(120)连接到包络端口(104)并且布置成产生取决于包络信号的第一偏置电压。加法级(140)连接到用于接收输入信号的输入端口(102)、连接到用于接收第一偏置电压的第一偏置电路(120)、连接到第一晶体管(M1)的栅极(g)。第二偏置电路(130)连接在包络端口(104)和第二晶体管(M2)的栅极(g<sub>2</sub>)之间,并且布置成产生取决于包络信号的第二偏置电压。
申请公布号 CN105075111A 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201480010667.8 申请日期 2014.03.20
申请人 意法爱立信有限公司 发明人 文森特·克诺皮克
分类号 H03F1/02(2006.01)I;H03F1/22(2006.01)I;H03F3/24(2006.01)I;H03F3/19(2006.01)I 主分类号 H03F1/02(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华;何月华
主权项 一种放大器(100),包括:用于接收输入信号的输入端口(102)、用于接收表示所述输入信号的包络的包络信号的包络端口(104)、以及用于传输放大信号的输出端口(106);第一晶体管(M1)和第二晶体管(M2),其中,所述第一晶体管(M1)的漏极(d<sub>1</sub>)连接到所述第二晶体管(M2)的源极(s<sub>2</sub>),并且所述第二晶体管(M2)的漏极(d<sub>2</sub>)连接到所述输出端口(106);电感元件(L),所述电感元件(L)连接在所述包络端口(104)和所述第二晶体管(M2)的所述漏极(d<sub>2</sub>)之间;第一偏置电路(120),所述第一偏置电路(120)连接到所述包络端口(104)并且布置成产生取决于所述包络信号的第一偏置电压;加法级(140),所述加法级(140)连接到用于接收所述输入信号的所述输入端口(102),连接到用于接收所述第一偏置电压的所述第一偏置电路(120),连接到所述第一晶体管(M1)的栅极(g<sub>1</sub>),并且布置成将所述输入信号和所述第一偏置电压的总和传输到所述第一晶体管(M1)的所述栅极(g<sub>1</sub>);第二偏置电路(130),所述第二偏置电路(130)连接在所述包络端口(104)和所述第二晶体管(M2)的栅极(g<sub>2</sub>)之间,并且布置成产生取决于所述包络信号的第二偏置电压以及将所述第二偏置电压传输到所述第二晶体管(M2)的所述栅极(g<sub>2</sub>)。
地址 瑞士普朗莱乌特尚德菲耶路39号