发明名称 |
暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法,采用简单的回流法,制备成暴露高能(001)晶面小尺寸六方相CdS超薄纳米片,CdS纳米片对角线尺寸为5~50nm、厚度为0.59~10nm。本发明操作简单,成本低,重复性好,所制备的暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片有望在光催化、太阳能电池、超离子导体、锂离子电池和超级电容器等应用中体现增强的光电性能。 |
申请公布号 |
CN104085915B |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201410282977.7 |
申请日期 |
2014.06.23 |
申请人 |
陕西师范大学 |
发明人 |
杨合情;王姣;金荣;田志霞;贾文静;马斓 |
分类号 |
C01G11/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G11/02(2006.01)I |
代理机构 |
西安永生专利代理有限责任公司 61201 |
代理人 |
高雪霞 |
主权项 |
一种暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片的制备方法,其特征在于:将CdCl<sub>2</sub>·2.5H<sub>2</sub>O、十二硫醇加入油胺中,搅拌,在惰性气氛下升温至220~350℃,恒温搅拌回流1~10小时,制备成暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片;或者将CdCl<sub>2</sub>·2.5H<sub>2</sub>O加入油胺中,搅拌,在惰性气氛下升温至220~350℃,再加入十二硫醇,恒温搅拌回流1~10小时,制备成暴露高能(001)晶面六方相CdS纳米片;上述的CdCl<sub>2</sub>·2.5H<sub>2</sub>O与十二硫醇的摩尔比为1:5~200,油胺与十二硫醇的体积比为1~10:1。 |
地址 |
710062 陕西省西安市长安南路199号 |