| 发明名称 | 半导体器件和制造该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件和制造该半导体器件的方法。半导体器件包括半导体二极管。半导体二极管包括漂移区和形成在漂移区中或形成在漂移区上的第一导电类型的第一半导体区。第一半导体区经由第一半导体本体的第一表面电耦接于第一端子。该半导体二极管包括电耦接至第一端子的第二导电类型的通道区，其中通道区的底部邻接第一半导体区。通道区的第一侧邻接第一半导体区。 | ||
| 申请公布号 | CN103000667B | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201210331177.0 | 申请日期 | 2012.09.07 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 汉斯-彼得·费尔斯尔;弗朗茨·赫尔莱尔;安东·毛德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/8222(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体二极管，包括：漂移区；第一导电类型的第一半导体区，形成在所述漂移区中或形成在所述漂移区上，所述第一半导体区经由半导体本体的第一表面电耦接至第一端子；以及第二导电类型的通道区，电耦接至所述第一端子，其中所述通道区的底部邻接所述第一半导体区，并且所述通道区的第一侧邻接所述第一半导体区。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||