氮化物半导体器件

摘要

本发明的实施方式的氮化物半导体器件，具备：由Al_xGa_1-xN构成的第1半导体层(4)，其中，0≤x＜1；由Al_yGa_1-yN构成的第2半导体层(5)，其中，0＜y≤1，x＜y；导电性基板(2)；第1电极(6)；第2电极(8)；及控制电极(7)。第2半导体层与第1半导体层直接接合。第1半导体层与导电性基板电连接。第1电极及第2电极与第2半导体层的表面电连接。控制电极设置于在第1电极和第2电极之间的第2半导体层的上述表面上。第1电极与Si-MOSFET102的漏电极(8a)电连接。控制电极与上述MOSFET的源电极(6a)电连接。导电性基板与上述MOSFET的栅电极(7a)电连接。

主权项

一种氮化物半导体器件，其特征在于，具备：第1半导体层，具有第1表面和与上述第1表面相反一侧的第2表面，由未掺杂的Al_xGa_1‑xN构成，其中，0≤x＜1，第2半导体层，与上述第1表面直接接合，由未掺杂或者n型的Al_yGa_1‑yN构成，其中，0＜y≤1，x＜y，导电性基板，设置在上述第1半导体层的上述第2表面侧，与上述第1半导体层电连接，第1电极，和上述第2半导体层的与上述第1半导体层相反一侧的表面电连接而设置，第2电极，与上述第2半导体层的上述表面电连接而设置，控制电极，设置于在上述第1电极和上述第2电极之间的上述第2半导体层的上述表面上，及背面电极，和上述导电性基板的与上述第1半导体层相反一侧的表面电连接；上述第1电极与由Si形成的MOSFET的漏电极电连接，上述控制电极与上述MOSFET的源电极电连接，上述导电性基板具有p型的导电型，经由上述背面电极而与上述MOSFET的栅电极电连接，还具备：第1端子，与上述第2电极电连接，第2端子，与上述MOSFET的上述栅电极电连接，及第3端子，与上述MOSFET的上述源电极电连接。