| 发明名称 | 低应力氮化硅薄膜的成长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低应力氮化硅薄膜的成长方法，包括采用等离子体增强化学气相沉积的步骤，该步骤中包括(1)在反应腔体内提供半导体衬底；(2)调整反应腔体内的沉积温度和调整反应腔体内的反应压力，该反应温度为750～800℃，该反应压力为150～250mT；(3)在反应腔体内通入反应气体DCS和NH<sub>3</sub>，DCS与NH<sub>3</sub>的体积比为6～0.8，在所述半导体衬底上沉积氮化硅薄膜。该方法所得氮化硅薄膜应力低于1GPa且大于150MPa，同时符合MEMS产品的结构需求，该方法薄膜的生产温度低，对低压力化学气相沉积法(LPCVD)所用炉管的损害小、耗能低、且应力减小的效果明显，适用于规划化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN105070644A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510402204.2 | 申请日期 | 2015.07.09 |
| 申请人 | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 | 发明人 | 石家燕 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人 | 李阳 |
| 主权项 | 一种低应力氮化硅薄膜的成长方法，包括采用等离子体增强化学气相沉积的步骤，其特征在于：该步骤中包括(1)在反应腔体内提供半导体衬底；(2)调整反应腔体内的沉积温度和调整反应腔体内的反应压力，该反应温度为750～800℃，该反应压力为150～250mT；(3)在反应腔体内通入反应气体DCS和NH<sub>3</sub>，DCS与NH<sub>3</sub>的体积比为6～0.8，在所述半导体衬底上沉积氮化硅薄膜。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区19幢 | ||