| 发明名称 | 一种类单晶晶体生长方法、类单晶硅锭以及类单晶电池 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种类单晶晶体生长方法，其特征在于，包括：将预先获取的单晶晶粒组合成的类单晶作为籽晶，其中，所述单晶晶粒具有特定的晶体生长面，并且所述晶体生长面的边长、对角线或直径尺寸均在50um到3cm之间;在所述籽晶基础上，通过定向凝固技术进行晶体生长，生长成类单晶。本发明的有益效果：通过本发明的方法能够有效降低铸锭类单晶的位错的产生以及扩散增殖，进而提高了晶体质量以及电池效率，具有良好的发展前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105063742A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510431714.2 | 申请日期 | 2015.07.21 |
| 申请人 | 李剑 | 发明人 | 李剑 |
| 分类号 | C30B11/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B11/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人 | 张朝元 |
| 主权项 | 一种类单晶晶体生长方法，其特征在于，包括：将预先获取的单晶晶粒组合成的类单晶作为籽晶，其中，所述单晶晶粒具有特定的晶体生长面，并且所述晶体单晶晶粒生长面的边长、对角线或直径尺寸均在50um到3cm之间;在所述籽晶基础上，通过定向凝固技术进行晶体生长，生长成类单晶。 | ||
| 地址 | 212200 江苏省镇江市扬中市油坊镇会龙村456号 | ||