在ICP等离子体处理腔室中用于高产出、衬底极端边缘缺陷减少的单环设计

摘要

本新型的实施例提供了单环，所述单环包括具有内部表面的圆环状的主体，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；所述主体亦包括相对于所述内部表面的外部表面。所述主体具有底表面及顶表面，所述底表面具有形成于其中的凹槽，所述顶表面具有相邻于所述外部表面的外部端点及相邻于斜坡的内部端点，所述斜坡朝向所述中心线往下延伸至所述内部表面上的台阶。所述主体具有设置于所述内部表面上的唇部，所述内部表面从所述台阶下的垂直面向外延伸朝向所述主体的所述中心线，且所述唇部是经配置以支撑其上的衬底。所述主体的尺寸设定使得小于大约2mm的缝隙形成于所述衬底与所述台阶的所述垂直面的间的所述唇部上。

主权项

一种单环，所述单环包括：圆环状主体，所述圆环状主体包括；内部表面，所述内部表面最接近所述主体的中心线附近；相对于所述内部表面的外部表面；底表面，具有凹槽形成于所述底表面中；具有外部端及内部端的顶表面，所述外部端相邻于所述外部表面，且所述内部端相邻于斜坡，所述斜坡朝向所述中心线向下延伸至所述内部表面上的台阶；及设置于所述内部表面上的唇部，所述内部表面从所述台阶下的垂直面向外延伸朝向所述环的所述中心线，所述唇部经配置以支撑所述唇部上的衬底，其中所述主体的尺寸被调节成定义所述唇部上的小于大约2mm的缝隙，所述唇部位于所述衬底与所述台阶的所述垂直面之间。