一种多晶硅片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅片及其制备方法，首先，提供坩埚，将所述坩埚底部划分为一个或多个目标区域，所述目标区域由目标图案区域和非目标图案区域组成，将晶粒尺寸不同的两种籽晶分别铺设在所述目标图案区域和所述非目标图案区域，得到籽晶层；然后在所述籽晶层上填装硅料，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，长晶完成后在多晶硅片上得到和所述目标图案一致或相似的图案，使多晶硅片更加美观和更易识别。

主权项

一种多晶硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供坩埚，将所述坩埚底部划分为一个或多个目标区域，所述目标区域由目标图案区域和非目标图案区域组成，将晶粒尺寸不同的两种籽晶分别铺设在所述目标图案区域和所述非目标图案区域，得到籽晶层；所述两种籽晶的晶粒尺寸差为≥5mm；(2)在所述籽晶层上填装硅料，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，并控制所述坩埚底部温度低于所述籽晶的熔点，使得所述籽晶层不被完全融化；(3)当所述硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在所述籽晶层或深入所述籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭；(4)将所述多晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到所述多晶硅片。