发明名称 |
一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法 |
摘要 |
本发明公开了一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法,通过在喷射装置环绕超纯水出液孔和氮气出气孔设置内圈喷射口和外圈喷射口用来垂直及倾斜喷射氮气,在超纯水冲洗步骤中,可在晶片表面的水层外侧形成内、外两道氮气保护层,以隔离超纯水与空气中的氧接触,防止发生水痕现象;在氮气干燥步骤中,可在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层,从而快速干燥晶片,有效解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。 |
申请公布号 |
CN105070676A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201510574861.5 |
申请日期 |
2015.09.10 |
申请人 |
北京七星华创电子股份有限公司 |
发明人 |
刘效岩;吴仪;赵曾男;姬丹丹 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
陶金龙;张磊 |
主权项 |
一种双氮气保护喷射装置,用于在单片清洗设备内清洗及干燥晶片,其特征在于,所述喷射装置包括一本体,所述本体设有用于喷射清洗药液的进液通道和用于喷射氮气的第一~第三进气通道,所述进液通道和第一进气通道在所述本体下端面中部相邻设有出液孔和出气孔;所述第二进气通道在所述本体下端面设有环绕所述出液孔和出气孔的内圈喷射口,所述第三进气通道在所述内圈喷射口的外侧设有环绕所述出液孔和出气孔的外圈喷射口,所述外圈喷射口朝向所述本体外下侧方向倾斜设置。 |
地址 |
100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号 |