| 发明名称 | 用于制造半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造半导体衬底的方法，特别是用于制造绝缘体上半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供施主衬底和操作衬底；b)在操作衬底中、特别是在操作衬底内部形成一个或更多个掺杂区域的图案；以及c)特别地通过键合将施主衬底与操作衬底接合起来以获得施主-操作混合物。 | ||
| 申请公布号 | CN102214594B | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201110082594.1 | 申请日期 | 2011.04.01 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 卡洛斯·马祖拉;康斯坦丁·布德尔;理查德·费朗;比什-因·阮 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;张旭东 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体衬底的方法，该方法包括以下步骤：a)提供施主衬底(205；305)和操作衬底(101；201；301；401)；b)在所述操作衬底(101；201；301；401)中形成一个或更多个掺杂区域(104a至104d；304a至304d；404a至404d)的图案；以及c)将所述施主衬底(205；305)与所述操作衬底(101；201；301；401)接合起来以获得施主‑操作混合物(308)，该方法还包括在步骤a)和步骤b)之间执行的步骤d)，该步骤d)在所述操作衬底(101；201；301；401)的内部且所述操作衬底(101；201；301；401)的表面下方形成一个或更多个对准标记(103a至103b；303a至303b；403a至403b)，其中，所述一个或更多个对准标记(103a至103b；303a至303b；403a至403b)在不改变所述操作衬底(101；201；301；401)的所述表面的情况下通过离子注入或聚焦激光熔化或聚焦离子束熔化形成。 | ||
| 地址 | 法国伯涅尼 | ||