发明名称 一种用于产生532nm激光输出的半导体激光器
摘要 本实用新型公开了一种用于产生532nm激光输出的半导体激光器,所述半导体激光器包括并列封装于散热器上的半导体激光器管芯一、半导体激光器管芯二,以及散热器。半导体激光器管芯一的输出波长大于波长点λnm,半导体激光器管芯二的输出波长小于波长点λnm。所述封装结构上设置过渡电极一及过渡电极二,过渡电极一与半导体激光器管芯一通过金线连接,过渡电极二与半导体激光器管芯二通过金线连接。本实用新型所述的半导体激光器可使其泵浦激光晶体产生波长为1064nm激光并经倍频晶体二次谐波所产生的波长为532nm激光输出的工作温度范围宽,532nm激光输出稳定,结构简单,成本低,易于大规模生产。
申请公布号 CN204793618U 申请公布日期 2015.11.18
申请号 CN201520636786.6 申请日期 2015.08.24
申请人 马玉珂 发明人 马玉珂
分类号 H01S5/40(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I 主分类号 H01S5/40(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 罗晓林
主权项  一种用于产生532nm激光输出的半导体激光器,其特征在于:所述半导体激光器包括散热器(1)、并列封装于散热器(1)上的半导体激光器管芯一(3)和半导体激光器管芯二(4),半导体激光器管芯一(3)的输出波长大于波长点λnm,半导体激光器管芯二(4)的输出波长小于波长点λnm。
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