| 发明名称 | KYGeS<sub>4</sub>非线性光学晶体及其生长方法与应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及KYGeS<sub>4</sub>非线性光学晶体及其生长方法与应用，所述的晶体的化学式为KYGeS<sub>4</sub>，并且所述的晶体不具有对称中心，属单斜晶系，空间群为P2<sub>1</sub>，其晶胞参数为：<img file="DDA0000792901550000011.GIF" wi="1028" he="85" />β＝108.07(2)°，制备时，采用固相反应制备制得粉末状KYGeS<sub>4</sub>化合物，再通过高温熔体自发结晶法生长，即制得所述的非线性光学晶体KYGeS<sub>4</sub>，用于制作非线性光学器件。与现有技术相比，本发明非线性光学晶体KYGeS<sub>4</sub>具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点，具有很好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN105063756A | 申请公布日期 | 2015.11.18 |
| 申请号 | CN201510546178.0 | 申请日期 | 2015.08.31 |
| 申请人 | 上海工程技术大学 | 发明人 | 梅大江;吴远东 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人 | 王小荣 |
| 主权项 | KYGeS<sub>4</sub>非线性光学晶体，其特征在于，该晶体的化学式为KYGeS<sub>4</sub>，并且所述的晶体不具有对称中心，属单斜晶系，空间群为P2<sub>1</sub>，其晶胞参数为：<img file="FDA0000792901520000012.GIF" wi="115" he="56" /><img file="FDA0000792901520000011.GIF" wi="950" he="85" />β＝108.07(2)°。 | ||
| 地址 | 201620 上海市松江区龙腾路333号 | ||