一种功率MOS器件

摘要

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种功率MOS器件。本发明包括具有高K介质延伸栅结构的元胞结构、漏延伸区和介质槽终端，且多个元胞结构并联排布，使得器件具有以下特点：兼顾VDMOS可并联产生大电流以及LDMOS易集成的优点；正向导通时，靠近高K介质一侧的漂移区产生多子积累层，形成连续的低阻通道，显著降低比导通电阻；反向耐压时，高K介质辅助耗尽漂移区，调制漂移区电场，可提高耐压并降低比导通电阻；介质槽终端可缩小器件尺寸，节约芯片面积。

主权项

一种功率MOS器件，包括第二导电类型半导体衬底(1)和位于第二导电类型半导体衬底(1)上表面的第一导电类型重掺杂半导体漏区(61)；所述第一导电类型重掺杂半导体漏区(61)上表面两端具有第一导电类型重掺杂半导体漏延伸区(62)；所述第一导电类型重掺杂半导体漏延伸区(62)之间具有多个并联的元胞结构；所述第一导电类型重掺杂半导体漏延伸区(62)与元胞结构之间具有介质槽(5)，所述介质槽(5)中填充有第一介质层；所述元胞结构包括栅极结构、第一导电类型半导体漂移区(2)和第二导电类型半导体体区(3)；所述第一导电类型半导体漂移区(2)和第二导电类型半导体体区(3)位于栅极结构两侧；所述第一导电类型半导体漂移区(2)位于第二导电类型半导体体区(3)和第一导电类型重掺杂半导体漏区(61)之间；所述栅极结构由金属化栅极、栅氧化层(9)和第二介质层(4)构成；所述栅氧化层(9)位于金属化栅极两侧与第一导电类型半导体漂移区(2)和第二导电类型半导体体区(3)之间；所述第二介质层(4)位于金属化栅极和栅氧化层(9)下表面与第一导电类型重掺杂半导体漏区(61)上表面之间；所述第二导电类型半导体体区(3)中具有第一导电类型重掺杂半导体源区(8)和第二导电类型重掺杂半导体体接触区(7)，所述栅极结构之间的第二导电类型半导体体区(3)中，第二导电类型重掺杂半导体体接触区(7)位于第一导电类型重掺杂半导体源区(8)之间；所述栅极结构与介质槽(5)之间的第二导电类型半导体体区(3)中，第二导电类型重掺杂半导体体接触区(7)与第一导电类型重掺杂半导体源区(8)相互独立；所述第一导电类型重掺杂半导体源区(8)和第二导电类型重掺杂半导体体接触区(7)上表面具有源极金属，所述第一导电类型重掺杂半导体漏延伸区(62)上表面具有漏极金属。