一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及薄膜晶体管驱动背板

摘要

一种薄膜晶体管、薄膜晶体管驱动背板的制备方法及所制备的驱动背板，薄膜晶体管的制备工艺包括a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层；b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜，然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层，并图形化所述第三绝缘薄膜，刻蚀形成源漏电极区域；f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层作为连接导线。本发明制备工艺简单，所制备的薄膜晶体管稳定性好、尺寸小，可实现薄膜晶体管驱动背板高精细化、低成本制作。

主权项

一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：a.在衬底上沉积并图形化金属导电层作为栅极金属层；b.在所述栅极金属层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；c.在所述栅极绝缘层上沉积金属氧化物薄膜并图形化作为有源层；d.在所述有源层上沉积第二绝缘薄膜，然后使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层；e.在所述刻蚀阻挡层上沉积第三绝缘薄膜作为保护层，并图形化所述第三绝缘薄膜，刻蚀形成源漏电极区域；f.在所述保护层上制备并图形化金属薄膜层，作为连接导线；所述步骤d中的使用自对准曝光方法图形化所述第二绝缘薄膜，包括：在所述第二绝缘薄膜上制备与所述栅极金属层形状一致的正性光刻胶；和对没有覆盖所述正性光刻胶的第二绝缘薄膜进行刻蚀；所述在第二绝缘薄膜上制备与所述栅极金属导电层的形状一致的正性光刻胶，具体包括：在所述第二绝缘薄膜上覆盖正性光刻胶；使用栅极金属层作为自对准光刻掩膜板；将紫外光由透明衬底一侧入射，对所述正性光刻胶进行曝光；经显影后，得到与栅极金属层形状一致的正性光刻胶；利用正性光刻胶作为掩膜，使用刻蚀的方法图形化第二绝缘薄膜作为刻蚀阻挡层。