用于检测辐射的半导体器件及其制造方法

摘要

一种用于检测辐射的半导体器件，该半导体器件包括：具有主表面(11)的半导体衬底(1)；包括至少一种半导体材料化合物的电介质层(6)；包括至少一个辐射敏感组件(3)的集成电路(2)；嵌入在电介质层(6)的金属间层(8)中的集成电路的布线(4)；接触布线的导电贯通衬底过孔(5)；以及被紧接地布置在电介质层上并且在辐射敏感组件上方的光学滤波器元件(7)。电介质层包括至少在贯通衬底过孔上方的钝化层(9)，钝化层包括与金属间层(8)不同的电介质材料，并且布线被布置在主表面与钝化层之间。

主权项

一种用于检测辐射的半导体器件，包括：具有主表面(11)的半导体衬底(1)，包括至少一种半导体材料化合物的电介质层(6)，所述电介质层(6)被布置在所述主表面(11)上或者在所述主表面(11)上方，包括至少一个辐射敏感组件(3)的集成电路(2)，所述集成电路(2)被布置在所述衬底(1)中并且在所述主表面(11)处或接近所述主表面(11)，所述集成电路(2)的布线(4)，所述电介质层(6)包括金属间层(8)，所述布线(4)被布置在所述金属间层(8)中，接触所述布线(4)的导电贯通衬底过孔(5)，以及光学滤波器元件(7)，其被紧接地布置在所述电介质层(6)上并且在所述辐射敏感组件(3)上方，其特征在于所述电介质层(6)包括至少在所述贯通衬底过孔(5)上方的钝化层(9)，所述钝化层(9)包括与所述金属间层(8)不同的电介质材料，以及所述布线(4)被布置在所述主表面(11)与所述钝化层(9)之间。