一种硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构

摘要

本发明涉及一种硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构，包括：提供一晶圆，该晶圆具备正面和背面，在所述正面形成硅穿孔结构，若干个硅穿孔结构组成硅穿孔结构阵列；在所述硅穿孔结构的表面涂布封装光刻胶；对所述硅穿孔结构的孔底的光刻胶部分进行曝光并显影，形成图形漏出孔底；固化剩余的光刻胶部分，以便在所述硅穿孔结构的孔底形成具备开窗结构的绝缘层。可见，该硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法和硅穿孔结构，采用半导体光刻工艺进行绝缘层底部开窗，提高了传统的等离子体刻蚀氧化硅绝缘层开窗的效率，同时也克服了因激光烧蚀非光敏聚合物绝缘层产生的高温而带来的器件受损，稳定性高、可实施性强且成本低廉。

主权项

一种硅穿孔结构的绝缘层底部开窗制造方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，该晶圆具备正面和背面，在所述正面形成硅穿孔结构，若干个硅穿孔结构组成硅穿孔结构阵列；在所述硅穿孔结构的表面涂布封装光刻胶；对所述硅穿孔结构的孔底的光刻胶部分进行曝光并显影，形成图形漏出孔底；固化剩余的光刻胶部分，以便在所述硅穿孔结构的孔底形成具备开窗结构的绝缘层。