一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片

摘要

本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法，该制备方法包括在坩埚内壁涂上氮化硅层后，在坩埚内从下至上填装硅料；加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，当硅熔体与未熔化的硅料所形成的固液界面接近坩埚底面时，调节热场形成过冷状态，使硅熔体在不完全熔化的硅料基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。采用该制备方法能使多晶硅锭得到良好的初始形核，降低多晶硅锭在生长过程中的位错繁殖。本发明还同时公开了一种通过该制备方法获得的多晶硅锭，以及以所述多晶硅锭为原料制得的多晶硅片。

主权项

一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚内壁涂上氮化硅层后，在所述坩埚内从下至上填装硅料；所述填装硅料时，先在所述坩埚底部铺设一层硅碎料，硅碎料层形成具有无数的孔洞的支架结构；所述硅碎料为单晶硅碎料、多晶硅碎料和非晶体硅碎料中的一种或几种；加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，在所述硅料的熔化阶段，每隔0.2～1h，探测一次所述硅熔体与未熔化的所述硅料所形成的固液界面的位置；当所述硅熔体与未熔化的所述硅料所形成的固液界面接近坩埚底面时，调节热场形成过冷状态，使所述硅熔体在不完全熔化的硅料基础上开始长晶；待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。