发明名称 |
非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体 |
摘要 |
本发明涉及膜,其特征在于,实质上包含铟、锡、镁和氧,锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5~15%的比例含有,镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1~2.0%的比例含有,剩余部分包含铟和氧,并且通过在260℃以下的温度下进行退火,膜结晶化,膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于提供ITO基膜、该膜的制造方法以及用于制造该膜的烧结体,所述ITO基膜具有如下特性:通过将用于平板显示器用显示电极等的ITO基薄膜在衬底无加热的状态下、在成膜时不添加水而进行溅射成膜,得到非晶质的ITO基膜,并且该ITO基膜通过在260℃以下的不太高的温度下进行退火而结晶化,结晶化后的电阻率降低。 |
申请公布号 |
CN105063555A |
申请公布日期 |
2015.11.18 |
申请号 |
CN201510393929.X |
申请日期 |
2008.06.13 |
申请人 |
JX日矿日石金属株式会社 |
发明人 |
生泽正克;矢作政隆;长田幸三;挂野崇 |
分类号 |
C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;C04B35/01(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/08(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
王海川;穆德骏 |
主权项 |
一种非晶质复合氧化膜,其为将成膜后的非晶质复合氧化膜进行蚀刻后的膜,其中,实质上包含铟、锡、镁和氧,锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5~15%的比例含有,镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1~1.1%的比例含有,剩余部分包含铟和氧。 |
地址 |
日本东京都 |